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电路的基本特征；
1 低功率CMOS工艺，典型动态工作电流为1mA,典型待机电流为1uA;
2 1块128B(1X128X8)组成；
3 2线串行接口总线
4 嵌入施密特触发器抑制噪声；
5 输出斜率控制以排除接地反弹；
6兼容100kHz(24aa01)和400kHz(24LC01B)时钟频率；
7 自动调节写入周期（包括自动擦除）；
8页面写入缓冲区达到16B;
9典型页面写入周期为5ms;
10 硬件写保护对所有的存储器；
11 可以用作一个串行的ROM工作；
12 ESD静电保护大于4000V
13 1000000次的擦写操作
14 数据保留大于200年
15标准和无铅覆盖
16 可用温度范围为-40-85度
