MOSFET，P REEL 2K;晶体管类型：MOSFET晶体管极性：P，电压，VDS典型值：- 40V电流ID连拍：50A;电阻，RDS在：0.015ohm;电压，VGS的Rds测量：- 10V电压VGS次典型值：- 1V;案例风格：采用DPAK;终端类型：SMD;备用案例风格：D - PAK;电流，脉冲IDM：150A;功耗：100W功率，PD：100W，功率，Ptot：100W;数量，卷轴：2000;电压，VDS最大：40V;电压，VGS日敏：- 1V;宽度，磁带：16毫米
