收藏润百年
订购热线:
RSS订阅
分享到:
全部型号
汇款资料
热门型号:
C2012X5R1A226M
GRM21BR71A106KE51L
润百年首页
在线询价
新闻资讯
下载资料
关于我们
联系我们
免费样品
Switch Language
Chinese
Arabic
English
Filipino
French
German
Greek
Hindi
Indonesian
Italian
Japanese
Korean
Malay
Persian
Portuguese
Russian
Spanish
Thai
Turkish
Ukrainian
Vietnamese
按集成电路首字母查询
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
当前位置:
润百年电子
>
IC目录
>
K4T1G164QA-ZCE6000
产品分类
K4T1G164QA-ZCE6000
K4T1G164QA-ZCE6000 图片仅供参考
欢迎索取产品详细资料
K4T1G164QA-ZCE6000
产品类别:
闪存
产品名称:
1GB的芯片DDR2内存规格
厂商:
SAMSUNG
生产批号:
09+
封装:
BGA84
产品单价:
库存状态:
有库存
最低订购量:1
详细资料:
在线询价:
产品热销直线
传真热线
搜索K4T1G164QA-ZCE6000
产品介绍
K4T1G164QA-ZCE6000
1GB的芯片DDR2内存规格
相关产品型号
型号
品牌
批号
封装
描述
图片
PDF
订购
STM32F103CBT6
ST
16+
LQFP48
IC MCU 32BIT 128KB FLASH 48LQFP
M25P10-AVMB6TG
MICRON
13+
8VFQFPN
IC FLASH 1MBIT 50MHZ 8VFQFPN
SST25WF010-40-5I-SAF
SST
10+11+
SOIC8
存储器 闪存
XC4010E-4PQ160I-0377
XILINX
10+
QFP
Field Programmable Gate Array (FPGA
XC4028XLA-09HQ240I
XILINX
10+
QFP
C-INT PROG LCA 4028XLA 3V PQ240 CMS
EPM7032LI44-12
ALTERA
10+
PLCC44
LH28F160S3HNS-TV
SHARP
10+
SSOP56
LH28F160S5HNS-S1
SHARP
08+
SSOP56
LH28F160S5HNS-L70
SHARP
10+
SSOP56
x8/x16 Flash EEPROM
K4T1G164QA-ZCE6000
SAMSUNG
09+
BGA84
1GB的芯片DDR2内存规格
相关品牌最新产品
型号
品牌
批号
封装
描述
图片
PDF
订购
CL05A105KQ5NNNC
Samsung
21+
0402
温度系数:X5R 额定电压:6.3V 精度:±10% 容值:1uF 材质:
CL21A106KAYNNNE
Samsung
21+
0805
温度系数:X5R 额定电压:25V 精度:±10% 容值:10uF 材质:
CL21A106KOQNNNE
Samsung
21+
0805
CAP CER 10UF 16V X5R 0805
CL10A475MQ8NNNC
Samsung
21+
0603
温度系数:X5R 额定电压:6.3V 精度:±20% 容值:4.7uF 材质
CL10A475KQ8NNNC
SAMSUNG
21+
0603
温度系数:X5R 额定电压:6.3V 精度:±10% 容值:4.7uF 材质
CL10A226MQ8NRNC
Samsung
21+
0603
温度系数:X5R 额定电压:6.3V 精度:±20% 容值:22uF 材质
CL10A105KB8NNNC
Samsung
21+
0603
温度系数:X5R 额定电压:50V 精度:±10% 容值:1uF 材质:X
CL10A106MQ8NNNC
SAMSUNG
21+
0603
温度系数:X5R 额定电压:6.3V 精度:±20% 容值:10uF 材质
K4A4G085WD-BCRC
SAMSUNG
19+
FBGA
K4A4G085WD-BCRC SAMSUNG FBGA
K4A8G085WC-BCTD
SAMSUNG
19+
BGA
K4A8G085WC-BCTD SAMSUNG BGA
K4T1G164QA-ZCE6000产品相关产品图片展示